BSC065N06LS5ATMA1

功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON

制造商:infineon technologies

系列:OptiMOS??

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):64A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 20μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1800pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):46W(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 32A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-TDSON-8

封装/外壳:8-PowerTDFN

标准包装:5,000

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